速度是的倍！三星：基本完成内存开发

快科技5月31日消息，三星电子在日前的“AI-PIM研讨会”上表示，其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。

eMRAM是一种基于磁性原理的新型内存技术，与传统的DRAM内存相比，它具有非易失性，不需要定期刷新数据，从而实现更高的能效。

此外，eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍，速度是的倍！三星：基本完成内存开发这使得它能够支持对写入速率有更高要求的应用场景。

三星电子目前具备28nmeMRAM的生产能力，并已开始向智能手表等终端产品供货。

根据此前报道，三星电子曾计划在2024年量产14nmeMRAM，并在2026年实现8nmeMRAM的量产。

现在，随着8nmeMRAM开发的基本完成，公司正朝着2027年推出5nmeMRAM的目标稳步前进。

同时三星对eMRAM在未来车用领域的应用充满信心，并表示其产品耐温能力已达到150~160℃，完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。