三星第代金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

IT之家7月3日消息，根据韩媒TheElec报道，三星在其第9代V-NAND的“金属布线”（metalwiring）中首次尝试使用钼（Mo）。

IT之家注：半导体制造过程中八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。

其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体（CPU、GPU等），可以说是“为半导体注入了生命”。

消息人士称三星公司已从LamResearch公司引进了五台Mo沉积机，三星第代金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术此外还计划明年再引进20台设备。

除三星电子外，SK海力士、美光和Kioxia等公司也在考虑使用钼。和现有NAND工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体（molybdenumprecursor）是固态，必须在600℃的高温下才能升华直接转化为气态，而这个过程需要单独的沉积设备。

三星今年5月报道，已经启动了首批第九代V-NAND闪存量产，位密度比第八代V-NAND提高了约50%。

第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。